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nce8295a参数,8295场效应管,82v95a,NCE8295AD资料-KIA MOS管
NCE8295AD场效应管核心参数VDS=82V，ID=95A，导通态漏源阻抗(RDS(ON))典型值：6mΩ；采用先进的沟槽工艺与设计，以低栅极电荷实现卓越的导通态漏源阻抗；适用于PWM、负载开关及通用场景。该器件具有高密度单元设计实现超低Rdson，以及雪崩电压与电流参数全面表...www.kiaic.com/article/detail/6014.html 2025-11-05
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4n65场效应管参数,650v4a,to252,KND4365A代换-KIA MOS管
4n65场效应管代换型号KND4365A漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2Ω，最大限度地减少导电损耗，有效降低损耗，提高电路效率；还具有快速切换能力、经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力在电路切换时快速响应，能够在高频率下稳定工作，性能...www.kiaic.com/article/detail/6013.html 2025-11-04
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恒压电源和恒流电源区别,怎么区分?-KIA MOS管
恒压电源：输出电压固定，电流根据欧姆定律（I=V/R）随负载电阻变化。适用于需稳定电压的场景，如电子设备供电、通信系统和实验室仪器。恒流电源：输出电流固定，电压根据欧姆定律（V=I×R）随负载电阻变化。适用于需精确电流控制的场景，如LED驱动、电池充...www.kiaic.com/article/detail/6012.html 2025-11-04
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led灯为什么用恒流,led恒流驱动电源-KIA MOS管
LED灯采用恒流驱动是因为其独特的电学特性和发光机制。与白炽灯、荧光灯等负载不同，LED的伏安特性曲线呈现出典型的 “非线性” 特征：当正向电压达到导通阈值后，微小的电压变化就会引发剧烈的电流波动。例如，普通白光 LED 的导通电压通常在 3.0-3.6V 之间，...www.kiaic.com/article/detail/6011.html 2025-11-04
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恒压电源和恒流电源区别,怎么区分?-KIA MOS管
恒压电源：输出电压固定，电流根据欧姆定律（I=V/R）随负载电阻变化。适用于需稳定电压的场景，如电子设备供电、通信系统和实验室仪器。恒流电源：输出电流固定，电压根据欧姆定律（V=I×R）随负载电阻变化。适用于需精确电流控制的场景，如LED驱动、电池充...www.kiaic.com/article/detail/6010.html 2025-11-04
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600v4a场效应管,600vmos,to252,KND4360A参数资料-KIA MOS管
KND4360A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.9Ω，最大限度地减少导电损耗，表现出卓越的导通特性；还具有快速切换能力，提高效率，经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力能够更好地应对电路中的快速变化，能...www.kiaic.com/article/detail/6009.html 2025-11-03
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欧姆单位换算,电阻单位换算详解-KIA MOS管
欧姆（Ω）是国际单位制中电阻的标准单位，用于量化导体对电流的阻碍作用。常用换算单位包括毫欧（mΩ）、千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）等，单位间转换遵循千进制规则。www.kiaic.com/article/detail/6008.html 2025-11-03
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rc电路充电时间,rc充电时间计算公式-KIA MOS管
RC充电的通用公式：Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)]Vt：t时刻电容电压（单位：伏特V）。V0：充电初始电压（单位：伏特V）。V1：充电最终电压（单位：伏特V）。exp：以自然常数e为底的指数函数。t：时间（单位：秒s）。www.kiaic.com/article/detail/6007.html 2025-11-03
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3706场效应管,60v50a mos,to252,KND3706A参数-KIA MOS管
KND3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能。具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；超低栅极电荷、100%EAS认证、卓越的Cdv/d...www.kiaic.com/article/detail/6006.html 2025-10-31
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音响保护电路,扬声器保护电路图分享-KIA MOS管
当主功率放大器的输出端直流电压为0V时，VT1管因为没有偏置电压而截止；VT2管发射极和基极电压都为0V，VT2管截止；因为VT2管截止，VT3管基极电流没有回路，所以使VT3也截止；VT3管截止，其发射极电压高，使VT4管基极电压高，VT4管是PNP型三极管，所以VT4管也截...www.kiaic.com/article/detail/6005.html 2025-10-31
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蓝牙音箱电路详解,蓝牙音箱电路原理图-KIA MOS管
电源类型：可分为电池供电（如锂电池）或电源适配器供电。电池供电时需配合充电管理芯片，功放芯片多采用D类放大芯片以实现大音量输出。电压稳定：部分电路通过PI型滤波电路（由电容、电阻组成）稳定电压，防止电压波动损坏芯片。www.kiaic.com/article/detail/6004.html 2025-10-31
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80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管
KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强...www.kiaic.com/article/detail/5896.html 2025-10-30
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80r240,800v18a,KLM80R240B场效应管参数-KIA MOS管
KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240?漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；还具有高耐压...www.kiaic.com/article/detail/6003.html 2025-10-30
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无线充电原理图,无线充电模块原理-KIA MOS管
无线充电的基本原理就是常用的开关电源原理，区别在于没有磁介质耦合，需要利用磁共振的方式提高耦合效率，具体方法是在发送端和接收端线圈串并联电容，是发送线圈处理谐振状态，接收端线圈也是如此。www.kiaic.com/article/detail/6002.html 2025-10-30